HGTP10N120BN
TO-220-3
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
44 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
1
960V, 10A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
1.2kV
最大功率耗散
49.2W
额定电流
35A
元素配置
Single
功率耗散
298W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
35A
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
最大击穿电压
300V
接通时间
32 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 10A
连续集电极电流
35A
关断时间-标准值(toff)
330 ns
IGBT类型
NPT
闸门收费
100nC
集极脉冲电流(Icm)
80A
Td(开/关)@25°C
23ns/165ns
开关能量
320μJ (on), 800μJ (off)
高度
9.4mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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215 W
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2.05 V
HGTP10N120BN PDF数据手册
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- 环境信息 :
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- PCN封装 :
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