FGA60N65SMD
TO-3P-3, SC-65-3
In a Tube of 30, ON Semiconductor FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
质量
6.401g
晶体管元件材料
SILICON
650V
1
400V, 60A, 3 Ω, 15V
104 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
600W
上升时间-最大值
70ns
元素配置
Single
输入类型
Standard
接通延迟时间
18 ns
功率 - 最大
600W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
120A
反向恢复时间
47 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V, 60A
IGBT类型
Field Stop
闸门收费
189nC
集极脉冲电流（Icm）
180A
Td（开/关）@25°C
18ns/104ns
开关能量
1.54mJ (on), 450μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
最大下降时间 (tf)
68ns
高度
20.1mm
长度
15.8mm
宽度
5mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FGA60N65SMD
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TO-3P-3, SC-65-3
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TO-3P-3, SC-65-3
650 V
120 A
1.6 V
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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TO-3P-3, SC-65-3
650 V
100 A
2.14 V
34.6 ns
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
FGA60N65SMD PDF数据手册
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- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
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