HGTG30N60A4D
TO-247-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4DIGBT Single Transistor, General Purpose, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
390V, 30A, 3 Ω, 15V
150 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
463W
额定电流
30A
基本部件号
HGTG30N60
元素配置
Single
功率耗散
463W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
25 ns
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
12s
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
75A
反向恢复时间
55ns
接通时间
35 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 30A
关断时间-标准值(toff)
238 ns
闸门收费
225nC
集极脉冲电流(Icm)
240A
Td(开/关)@25°C
25ns/150ns
开关能量
280μJ (on), 240μJ (off)
高度
20.82mm
长度
15.87mm
宽度
4.82mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentMax Power DissipationPower DissipationCollector Emitter Saturation VoltageReverse Recovery Time
-
HGTG30N60A4D
Through Hole
TO-247-3
600 V
75 A
463 W
463 W
1.8 V
55ns
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
80 A
250 W
250 W
1.8 V
45ns
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
70 A
290 W
290 W
1.8 V
-
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
70 A
250 W
-
1.9 V
55 ns
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
75 A
463 W
463 W
1.9 V
-
HGTG30N60A4D PDF数据手册
- 数据表 : HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D-Fairchild-datasheet-91110.pdf HGTG30N60A4D-ON-Semiconductor-datasheet-85560518.pdf HGTG30N60A4D-ON-Semiconductor-datasheet-86691011.pdf HGTG30N60A4D-ON-Semiconductor-datasheet-137718028.pdf HGTG30N60A4D.-Fairchild-datasheet-8385360.pdf HGTG30N60A4D-Fairchild-Semiconductor-datasheet-10845125.pdf HGTG30N60A4D-Fairchild-Semiconductor-datasheet-67910539.pdf HGTG30N60A4D-Fairchild-Semiconductor-datasheet-68551081.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :