![HGTG20N60A4](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-rurg3020cc-0954.jpg)
HGTG20N60A4
TO-247-3
IGBT 600V 70A 290W TO247
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
390V, 20A, 3 Ω, 15V
73 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
290W
额定电流
70A
基本部件号
HGTG20N60
元素配置
Single
功率耗散
290W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
15 ns
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
12ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
70A
接通时间
28 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
160 ns
闸门收费
142nC
集极脉冲电流(Icm)
280A
Td(开/关)@25°C
15ns/73ns
开关能量
105μJ (on), 150μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7V
高度
20.82mm
长度
15.87mm
宽度
4.82mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentMax Power DissipationPower DissipationCollector Emitter Saturation VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
HGTG20N60A4
Through Hole
TO-247-3
600 V
70 A
290 W
290 W
1.8 V
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
80 A
290 W
-
1.8 V
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
80 A
349 W
349 W
1.9 V
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
80 A
250 W
250 W
1.8 V
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
70 A
300 W
-
2.2 V
1 (Unlimited)
HGTG20N60A4 PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 数据表 : HGTG20N60A4-ON-Semiconductor-datasheet-130092433.pdf HGTG20N60A4-Fairchild-Semiconductor-datasheet-10731984.pdf HGTG20N60A4-Fairchild-datasheet-25820.pdf HGTG20N60A4-ON-Semiconductor-datasheet-81100657.pdf HGTG20N60A4-ON-Semiconductor-datasheet-86697313.pdf HGTG20N60A4-ON-Semiconductor-datasheet-86691006.pdf HGTG20N60A4-Fairchild-Semiconductor-datasheet-16972547.pdf
- 到达声明 :