NGTB35N60FL2WG
TO-247-3
ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
600V
400V, 35A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
300W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
300W
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
70A
反向恢复时间
68 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V, 35A
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
125nC
集极脉冲电流（Icm）
120A
Td（开/关）@25°C
72ns/132ns
开关能量
840μJ (on), 280μJ (off)
高度
21.08mm
长度
16.26mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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NGTB35N60FL2WG
Through Hole
TO-247-3
600 V
70 A
300 W
2.2 V
68 ns
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Through Hole
TO-247-3
600 V
60 A
258 W
2.35 V
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TO-247-3
600 V
90 A
300 W
2 V
70 ns
Single
Through Hole
TO-247-3
650 V
70 A
300 W
2.2 V
68 ns
Single
Through Hole
TO-247-3
600 V
70 A
250 W
1.9 V
55 ns
Single
NGTB35N60FL2WG PDF数据手册
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