NGTB35N65FL2WG
TO-247-3
ON SEMICONDUCTOR NGTB35N65FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
21 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
Through Hole
底架
Through Hole
触点镀层
Tin
引脚数
3
质量
38.000013g
400V, 35A, 10 Ω, 15V
650V
已出版
2011
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
300W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
300W
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
70A
反向恢复时间
68 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V, 35A
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
125nC
集极脉冲电流（Icm）
120A
Td（开/关）@25°C
72ns/132ns
开关能量
840μJ (on), 280μJ (off)
宽度
5.3mm
长度
16.26mm
高度
21.08mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentMax Power DissipationCollector Emitter Saturation VoltageReverse Recovery TimeRoHS Status
NGTB35N65FL2WG
Through Hole
TO-247-3
650 V
70 A
300 W
2.2 V
68 ns
ROHS3 Compliant
Through Hole
TO-247-3
650 V
70 A
300 W
1.7 V
-
ROHS3 Compliant
Through Hole
TO-247-3
650 V
74 A
255 W
1.6 V
60 ns
ROHS3 Compliant
Through Hole
TO-247-3
650 V
74 A
255 W
1.65 V
62 ns
ROHS3 Compliant
Through Hole
TO-247-3
600 V
70 A
300 W
2.2 V
68 ns
ROHS3 Compliant
NGTB35N65FL2WG PDF数据手册
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