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HGTG5N120BND

型号:

HGTG5N120BND

封装:

TO-247-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG5N120BND IGBT Single Transistor, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    6.39g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.2kV

  • 1

  • 960V, 5A, 25 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Not For New Designs

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    LOW CONDUCTION LOSS

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 电压 - 额定直流

    1.2kV

  • 最大功率耗散

    167W

  • 额定电流

    21A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    167W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2kV

  • 最大集电极电流

    21A

  • 反向恢复时间

    65 ns

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 最大击穿电压

    600V

  • 接通时间

    35 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.7V @ 15V, 5A

  • 连续集电极电流

    21A

  • 关断时间-标准值(toff)

    357 ns

  • IGBT类型

    NPT

  • 闸门收费

    53nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    40A

  • Td(开/关)@25°C

    22ns/160ns

  • 开关能量

    450μJ (on), 390μJ (off)

  • 高度

    20.82mm

  • 长度

    15.87mm

  • 宽度

    4.82mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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