HGTG5N120BND
TO-247-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG5N120BND IGBT Single Transistor, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
1
960V, 5A, 25 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
1.2kV
最大功率耗散
167W
额定电流
21A
元素配置
Single
功率耗散
167W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
21A
反向恢复时间
65 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
最大击穿电压
600V
接通时间
35 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 5A
连续集电极电流
21A
关断时间-标准值(toff)
357 ns
IGBT类型
NPT
闸门收费
53nC
集极脉冲电流(Icm)
40A
Td(开/关)@25°C
22ns/160ns
开关能量
450μJ (on), 390μJ (off)
高度
20.82mm
长度
15.87mm
宽度
4.82mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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HGTG5N120BND
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TO-247-3
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298 W
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1200V
16 A
70 W
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HGTG5N120BND PDF数据手册
- 数据表 : HGTG5N120BND, HGTP5N120BND HGTG5N120BND-ON-Semiconductor-datasheet-85560604.pdf HGTG5N120BND-Fairchild-Semiconductor-datasheet-13703920.pdf HGTG5N120BND-ON-Semiconductor-datasheet-82991252.pdf HGTG5N120BND-Fairchild-datasheet-100334.pdf HGTG5N120BND-ON-Semiconductor-datasheet-102293651.pdf HGTG5N120BND-Fairchild-Semiconductor-datasheet-10732580.pdf
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