STGW30NC120HD
TO-247-3
STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
1
960V, 20A, 10 Ω, 15V
275 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
1.2kV
最大功率耗散
220W
额定电流
30A
基本部件号
STGW30
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
220W
输入类型
Standard
接通延迟时间
29 ns
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
11ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
152ns
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
接通时间
41 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.75V @ 15V, 20A
连续集电极电流
30A
关断时间-标准值（toff)
928 ns
闸门收费
110nC
Td（开/关）@25°C
29ns/275ns
开关能量
1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
25V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentMax Power DissipationPower DissipationCollector Emitter Saturation Voltage
STGW30NC120HD
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
60 A
220 W
220 W
2.75 V
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
43 A
298 W
298 W
2.1 V
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
30 A
278 W
-
2.1 V
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
50 A
385 W
-
2 V
Surface Mount, Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
60 A
349 W
-
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