STGW20NC60VD
TO-247-3
STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
390V, 20A, 3.3 Ω, 15V
100 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ULTRA FAST
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
200W
额定电流
30A
基本部件号
STGW20
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
200W
输入类型
Standard
接通延迟时间
31 ns
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
11.5ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
44ns
接通时间
42.5 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V, 20A
连续集电极电流
30A
关断时间-标准值（toff)
280 ns
闸门收费
100nC
集极脉冲电流（Icm）
150A
Td（开/关）@25°C
31ns/100ns
开关能量
220μJ (on), 330μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentMax Power DissipationPower DissipationCollector Emitter Saturation VoltageReverse Recovery Time
STGW20NC60VD
Through Hole
TO-247-3
600 V
60 A
200 W
200 W
2.5 V
44ns
Through Hole
TO-247-3
600 V
60 A
200 W
-
2.5 V
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
60 A
187 W
-
-
38 ns
Through Hole
TO-247-3
600 V
60 A
258 W
258 W
2.35 V
53 ns
Through Hole
TO-247-3
600 V
60 A
200 W
-
2.5 V
50 ns
STGW20NC60VD PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :