NGTB25N120SWG
TO-247-3
ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120SWG IGBT Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
26 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
1.2kV
600V, 25A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
385W
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
385W
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
50A
反向恢复时间
154 ns
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V, 25A
IGBT类型
Trench
闸门收费
178nC
集极脉冲电流（Icm）
100A
Td（开/关）@25°C
87ns/179ns
开关能量
1.95mJ (on), 600μJ (off)
高度
21.4mm
长度
16.25mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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TO-247-3
1.2 kV
1200V
50 A
385 W
2 V
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1.2 kV
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298 W
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220 W
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1200V
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1.2 kV
1200V
50 A
190 W
-
200 ns
NGTB25N120SWG PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- 到达声明 :