![FGH40N60SMD](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-rurg3020cc-4625.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
5 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
400V, 40A, 6 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
349W
基本部件号
FGH40N60
上升时间-最大值
28ns
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
349W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
36 ns
JEDEC-95代码
TO-247AB
接通时间
37 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 40A
关断时间-标准值(toff)
132 ns
IGBT类型
Field Stop
闸门收费
119nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
12ns/92ns
开关能量
870μJ (on), 260μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
最大下降时间 (tf)
17ns
高度
20.6mm
长度
15.6mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentMax Power DissipationCollector Emitter Saturation VoltageReverse Recovery TimeMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
FGH40N60SMD
Through Hole
TO-247-3
600 V
80 A
349 W
2.1 V
36 ns
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
60 A
200 W
2.5 V
44ns
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
80 A
250 W
1.8 V
45ns
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
80 A
290 W
600 V
36 ns
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-247-3
600 V
80 A
290 W
600 V
45 ns
1 (Unlimited)
FGH40N60SMD PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :