NGTB15N120IHWG
TO-247-3
ON SEMICONDUCTOR NGTB15N120IHWG IGBT Single Transistor, 30 A, 2.1 V, 278 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
29 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
1
600V, 15A, 10 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
278W
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
278W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.45V
最大集电极电流
30A
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.45V @ 15V, 15A
关断时间-标准值（toff)
385 ns
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
120nC
集极脉冲电流（Icm）
60A
Td（开/关）@25°C
-/130ns
开关能量
360μJ (off)
高度
21.4mm
长度
16.25mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentMax Power DissipationCollector Emitter Saturation VoltageNumber of Terminations
NGTB15N120IHWG
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
30 A
278 W
2.1 V
3
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
35 A
298 W
2.45 V
3
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
21 A
167 W
2.45 V
3
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
43 A
298 W
2.1 V
3
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
40 A
288 W
-
3
NGTB15N120IHWG PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- 到达声明 :