STGW50H60DF
TO-247-3
IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
质量
6.500007g
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
400V, 50A, 10 Ω, 15V
205 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
360W
基本部件号
STGW50
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
输入类型
Standard
接通延迟时间
62 ns
功率 - 最大
360W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
100A
反向恢复时间
55 ns
接通时间
91 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.8V @ 15V, 50A
关断时间-标准值（toff)
285 ns
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
217nC
集极脉冲电流（Icm）
200A
Td（开/关）@25°C
62ns/178ns
开关能量
890μJ (on), 860μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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