
IS46LD32640B-18BLA2-TR
134-TFBGA
DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 2G-Bit 64M X 32 1.2V 134-Pin TFBGA T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
134-TFBGA
供应商器件包装
134-TFBGA (10x11.5)
终端数量
134
IS46LD32640B-18BLA2-TR
Yes
Active
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
TFBGA,
5.64
67108864 words
64000000
105 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
1.2 V
NOT SPECIFIED
Bulk
厂商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Last Time Buy
Volatile
操作温度
-40°C ~ 105°C (TC)
系列
-
附加功能
SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
电压 - 供电
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B134
电源电压-最大值(Vsup)
1.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
内存大小
2Gbit
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
533 MHz
访问时间
5.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
HSUL_12
组织结构
64MX32
座位高度-最大
1.1 mm
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
2147483648 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
组织的记忆
64M x 32
长度
11.5 mm
宽度
10 mm