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IS46LD32640B-18BLA2-TR

型号:

IS46LD32640B-18BLA2-TR

封装:

134-TFBGA

描述:

DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 2G-Bit 64M X 32 1.2V 134-Pin TFBGA T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    134-TFBGA

  • 供应商器件包装

    134-TFBGA (10x11.5)

  • 终端数量

    134

  • IS46LD32640B-18BLA2-TR

  • Yes

  • Active

  • INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • TFBGA,

  • 5.64

  • 67108864 words

  • 64000000

  • 105 °C

  • -40 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • TFBGA

  • RECTANGULAR

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • 1.2 V

  • NOT SPECIFIED

  • Bulk

  • 厂商

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • Last Time Buy

  • Volatile

  • 操作温度

    -40°C ~ 105°C (TC)

  • 系列

    -

  • 附加功能

    SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM

  • 电压 - 供电

    1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.65 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B134

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.3 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.14 V

  • 内存大小

    2Gbit

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    533 MHz

  • 访问时间

    5.5 ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    HSUL_12

  • 组织结构

    64MX32

  • 座位高度-最大

    1.1 mm

  • 内存宽度

    32

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 记忆密度

    2147483648 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    MULTI BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 组织的记忆

    64M x 32

  • 长度

    11.5 mm

  • 宽度

    10 mm

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