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IS46DR16640A-3DBLA2

型号:

IS46DR16640A-3DBLA2

封装:

-

描述:

DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 底架

    Surface Mount

  • 引脚数

    84

  • 终端数量

    84

  • IS46DR16640A-3DBLA2

  • Yes

  • Obsolete

  • INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • DSBGA

  • TFBGA, BGA84,9X15,32

  • 5.5

  • 0.4 ns

  • 333 MHz

  • 67108864 words

  • 64000000

  • 85 °C

  • -40 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • TFBGA

  • BGA84,9X15,32

  • RECTANGULAR

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • 1.8 V

  • Compliant

  • Automotive grade

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    105 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    84

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B84

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 工作电源电压

    1.8 V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 电源

    1.8 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 最大电源电压

    1.9 V

  • 最小电源电压

    1.7 V

  • 内存大小

    128 MB

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    260 mA

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.35 mA

  • 访问时间

    450 ps

  • 数据总线宽度

    16 b

  • 组织结构

    64MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 地址总线宽度

    16 b

  • 密度

    1 Gb

  • 待机电流-最大值

    0.015 A

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • 最高频率

    667 MHz

  • 筛选水平

    AEC-Q100

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    4,8

  • 交错突发长度

    4,8

  • 访问模式

    MULTI BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 长度

    13.65 mm

  • 宽度

    8 mm

  • 辐射硬化

    No

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