
IS43R86400E-6TL
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.5V/2.6V 66-Pin TSOP-II
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
供应商器件包装
66-TSOP II
终端数量
66
IS43R86400E-6TL
Yes
Active
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
TSOP2,
5.61
0.7 ns
67108864 words
64000000
70 °C
PLASTIC/EPOXY
TSOP2
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
2.5 V
NOT SPECIFIED
Bulk
厂商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Active
Volatile
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
附加功能
PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G66
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
内存大小
512Mbit
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
166 MHz
访问时间
700 ps
内存格式
DRAM
内存接口
SSTL_2
组织结构
64MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
536870912 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
组织的记忆
64M x 8
长度
22.22 mm
宽度
10.16 mm