
IS42S32200E-7B
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DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2M X 32 3.3V 90-Pin TFBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks, 6 Days
表面安装
YES
终端数量
90
IS42S32200E-7B
No
Obsolete
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
DSBGA
TFBGA, BGA90,9X15,32
5.67
5.5 ns
142 MHz
3
2097152 words
2000000
70 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
BGA90,9X15,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
3.3 V
NOT SPECIFIED
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
90
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.14 mA
组织结构
2MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
长度
13 mm
宽度
8 mm