IS42S16160D-6BI-TR
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DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks, 6 Days
表面安装
YES
底架
Surface Mount
引脚数
54
终端数量
54
IS42S16160D-6BI-TR
No
Obsolete
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
5.89
5.4 ns
166 MHz
16777216 words
16000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
FBGA
BGA54,9X9,32
SQUARE
GRID ARRAY, FINE PITCH
3.3 V
Non-Compliant
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-PBGA-B54
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
3.3 V
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
3 V
内存大小
32 MB
电源电流
180 mA
电源电流-最大值
0.18 mA
访问时间
5.4 ns
数据总线宽度
16 b
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
地址总线宽度
15 b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.003 A
记忆密度
268435456 bit
最高频率
166 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8