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IS42RM32100C-75BLI

型号:

IS42RM32100C-75BLI

封装:

-

描述:

DRAM Chip Mobile LP SDRAM 32M-Bit 1M x 32 2.5V 90-Pin TFBGA

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    90

  • IS42RM32100C-75BLI

  • Yes

  • Obsolete

  • INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • BGA

  • TFBGA, BGA90,9X15,32

  • 5.55

  • 6 ns

  • 133 MHz

  • 3

  • 1048576 words

  • 1000000

  • 85 °C

  • -40 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • TFBGA

  • BGA90,9X15,32

  • RECTANGULAR

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • 2.5 V

  • 40

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    90

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B90

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3 V

  • 电源

    2.5 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.07 mA

  • 组织结构

    1MX32

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    32

  • 待机电流-最大值

    0.00001 A

  • 记忆密度

    33554432 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    SYNCHRONOUS DRAM

  • 刷新周期

    4096

  • 顺序突发长度

    1,2,4,8,FP

  • 交错突发长度

    1,2,4,8

  • 访问模式

    DUAL BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 长度

    13 mm

  • 宽度

    8 mm

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