
IS42RM32100C-75BLI
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DRAM Chip Mobile LP SDRAM 32M-Bit 1M x 32 2.5V 90-Pin TFBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
终端数量
90
IS42RM32100C-75BLI
Yes
Obsolete
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
BGA
TFBGA, BGA90,9X15,32
5.55
6 ns
133 MHz
3
1048576 words
1000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
BGA90,9X15,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
2.5 V
40
JESD-609代码
e1
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
90
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3 V
电源
2.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.07 mA
组织结构
1MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
33554432 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
长度
13 mm
宽度
8 mm