
IS43DR16640A-25EBLI
-
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
表面安装
YES
终端数量
84
IS43DR16640A-25EBLI
Yes
Obsolete
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
DSBGA
TFBGA, BGA84,9X15,32
5.2
0.4 ns
400 MHz
67108864 words
64000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
BGA84,9X15,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
1.8 V
40
JESD-609代码
e1
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
84
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.36 mA
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
长度
13.65 mm
宽度
8 mm