
IS45S16800E-7CTNA2-TR
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DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54-Pin TSOP-II T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
终端数量
54
IS45S16800E-7CTNA2-TR
Yes
Obsolete
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
5.84
5.4 ns
143 MHz
8388608 words
8000000
105 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TSOP
TSOP54,.46,32
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
3.3 V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G54
资历状况
Not Qualified
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
0.16 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8