
IS45S16800E-7CTNA2
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DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54-Pin TSOP-II
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
表面安装
YES
终端数量
54
5.66
5.4 ns
143 MHz
3.3 V
10
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
RECTANGULAR
TSOP54,.46,32
TSOP2
PLASTIC/EPOXY
-40 °C
105 °C
8000000
8388608 words
3
TSOP2, TSOP54,.46,32
TSOP2
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Obsolete
Yes
IS45S16800E-7CTNA2
JESD-609代码
e4
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
54
JESD-30代码
R-PDSO-G54
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.16 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
长度
22.22 mm
宽度
10.16 mm