
IS45S16800E-7CTNA1-TR
-
DRAM 128M (8Mx16) 143MHz SDRAM 3.3v
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
54
IS45S16800E-7CTNA1-TR
Yes
Obsolete
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
5.84
5.4 ns
143 MHz
8388608 words
8000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TSOP
TSOP54,.46,32
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
3.3 V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G54
资历状况
Not Qualified
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
0.16 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8