工厂交货时间

10 Weeks

表面安装

YES

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

78-TFBGA

供应商器件包装

78-TWBGA (8x10.5)

终端数量

78

IS43TR82560C-125KBL

Yes

Active

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

TFBGA,

2.18

3

268435456 words

256000000

85 °C

PLASTIC/EPOXY

TFBGA

RECTANGULAR

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

1.5 V

10

800 MHz

TWBGA

8 Bit

Surface Mount

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Active

Volatile

Yes

800 MHz

+ 95 C

1.575 V

0.062054 oz

0 C

242

1.425 V

SMD/SMT

ISSI

Details

Commercial grade

操作温度

0 to 95 °C

系列

-

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

类型

DDR3 SDRAM

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

1.425V ~ 1.575V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

78

JESD-30代码

R-PBGA-B78

工作电源电压

1.5000 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.575 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.425 V

内存大小

2Gbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

800 MHz

电源电流-最大值

107 mA

访问时间

20 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

8 Bit

组织结构

256MX8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

地址总线宽度

15 Bit

产品类别

DRAM

密度

2 Gbit

记忆密度

2147483648 bit

筛选水平

Commercial

内存IC类型

DDR DRAM

访问模式

MULTI BANK PAGE BURST

自我刷新

YES

产品类别

DRAM

库存数量

8

组织的记忆

256M x 8

长度

10.5 mm

宽度

8 mm