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IS43R16160B-5BL

型号:

IS43R16160B-5BL

封装:

-

描述:

DRAM 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 底架

    Surface Mount

  • 引脚数

    60

  • 终端数量

    60

  • IS43R16160B-5BL

  • Yes

  • Obsolete

  • INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • BGA

  • TBGA, BGA60,9X12,40/32

  • 5.64

  • 0.7 ns

  • 200 MHz

  • 16777216 words

  • 16000000

  • 70 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • TBGA

  • BGA60,9X12,40/32

  • RECTANGULAR

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE

  • 2.5 V

  • 40

  • Compliant

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最高工作温度

    70 °C

  • 最小工作温度

    0 °C

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.24

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    60

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B60

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 工作电源电压

    2.5 V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.7 V

  • 电源

    2.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3 V

  • 最大电源电压

    2.7 V

  • 最小电源电压

    2.3 V

  • 内存大小

    32 MB

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    290 mA

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.29 mA

  • 访问时间

    700 ps

  • 数据总线宽度

    16 b

  • 组织结构

    16MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 地址总线宽度

    15 b

  • 密度

    256 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.03 A

  • 记忆密度

    268435456 bit

  • 最高频率

    200 MHz

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    2,4,8

  • 交错突发长度

    2,4,8

  • 访问模式

    FOUR BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 长度

    13 mm

  • 宽度

    8 mm

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