
IS43LD32160A-3BLI
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DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.2V/1.8V 134-Pin TF-BGA
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
134
IS43LD32160A-3BLI
Yes
Active
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
TFBGA,
5.69
16777216 words
16000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
1.2 V
JESD-609代码
e1
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
SELF CONTAINED REFRESH; ALSO REQUIRES 1.8 V SUPPLY
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PBGA-B134
电源电压-最大值(Vsup)
1.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
16MX32
座位高度-最大
1.1 mm
内存宽度
32
记忆密度
536870912 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
长度
11.5 mm
宽度
10 mm