
IS42VS16100E-10TLI-TR
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DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1M x 16 1.8V 50-Pin TSOP-II T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
表面安装
YES
终端数量
50
IS42VS16100E-10TLI-TR
Yes
Active
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
TSOP2, TSOP50,.46,32
5.47
7 ns
100 MHz
1
1048576 words
1000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TSOP2
TSOP50,.46,32
RECTANGULAR
NOT SPECIFIED
1.8 V
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G50
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.05 mA
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
16777216 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
CACHE DRAM MODULE
刷新周期
2048
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
长度
20.95 mm
宽度
10.16 mm