
IS42VM32200G-75BLI-TR
-
DRAM 64M (2Mx32) 133MHz Mobile SDRAM 1.8v
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
90
IS42VM32200G-75BLI-TR
Yes
Active
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
FBGA, BGA90,9X15,32
5.75
6 ns
133 MHz
2097152 words
2000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
FBGA
BGA90,9X15,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, FINE PITCH
1.8 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
Not Qualified
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
0.075 mA
组织结构
2MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.00003 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8