
IS42S32200E-7B-TR
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DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2M X 32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks, 6 Days
表面安装
YES
终端数量
90
IS42S32200E-7B-TR
No
Obsolete
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
5.92
5.5 ns
143 MHz
2097152 words
2000000
70 °C
PLASTIC/EPOXY
FBGA
BGA90,9X15,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, FINE PITCH
3.3 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
Not Qualified
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.14 mA
组织结构
2MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8