
IS42S16160D-6B
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DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks, 6 Days
表面安装
YES
底架
Surface Mount
引脚数
54
终端数量
54
IS42S16160D-6B
No
Obsolete
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
DSBGA
13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, MS-207, TFBGA-54
5.34
5.4 ns
166 MHz
3.3 V
NOT SPECIFIED
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
RECTANGULAR
BGA54,9X9,32
TFBGA
PLASTIC/EPOXY
70 °C
16000000
16777216 words
3
Non-Compliant
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
54
JESD-30代码
R-PBGA-B54
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
3.3 V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
3 V
内存大小
32 MB
端口的数量
1
电源电流
180 mA
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.18 mA
访问时间
5.4 ns
数据总线宽度
16 b
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
地址总线宽度
15 b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.003 A
记忆密度
268435456 bit
最高频率
166 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
13 mm