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IS42S16160D-6B

型号:

IS42S16160D-6B

封装:

-

描述:

DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks, 6 Days

  • 表面安装

    YES

  • 底架

    Surface Mount

  • 引脚数

    54

  • 终端数量

    54

  • IS42S16160D-6B

  • No

  • Obsolete

  • INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • DSBGA

  • 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, MS-207, TFBGA-54

  • 5.34

  • 5.4 ns

  • 166 MHz

  • 3.3 V

  • NOT SPECIFIED

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • RECTANGULAR

  • BGA54,9X9,32

  • TFBGA

  • PLASTIC/EPOXY

  • 70 °C

  • 16000000

  • 16777216 words

  • 3

  • Non-Compliant

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    No

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    70 °C

  • 最小工作温度

    0 °C

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.24

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    54

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B54

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 工作电源电压

    3.3 V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 电源

    3.3 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 最大电源电压

    3.6 V

  • 最小电源电压

    3 V

  • 内存大小

    32 MB

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    180 mA

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.18 mA

  • 访问时间

    5.4 ns

  • 数据总线宽度

    16 b

  • 组织结构

    16MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 地址总线宽度

    15 b

  • 密度

    256 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.003 A

  • 记忆密度

    268435456 bit

  • 最高频率

    166 MHz

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    SYNCHRONOUS DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    1,2,4,8,FP

  • 交错突发长度

    1,2,4,8

  • 访问模式

    FOUR BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    13 mm

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