NGTB40N60L2WG
TO-247-3
ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
600V
400V, 40A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
417W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
417W
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
73 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.61V @ 15V, 40A
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
228nC
集极脉冲电流（Icm）
160A
Td（开/关）@25°C
98ns/213ns
开关能量
1.17mJ (on), 280μJ (off)
高度
21.08mm
长度
16.26mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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NGTB40N60L2WG
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TO-247-3
600 V
80 A
417 W
2 V
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90 A
300 W
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80 A
310 W
1.9 V
90 ns
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NGTB40N60L2WG PDF数据手册
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- PCN 组装/原产地 :
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