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FGH25T120SMD-F155
TO-247-3
IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
1
600V, 25A, 23 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
TIN
最大功率耗散
428W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
元素配置
Single
功率耗散
428W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
50A
反向恢复时间
60ns
JEDEC-95代码
TO-247AB
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
88 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 25A
关断时间-标准值(toff)
584 ns
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
225nC
集极脉冲电流(Icm)
100A
Td(开/关)@25°C
40ns/490ns
开关能量
1.74mJ (on), 560μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
25V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7.5V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentMax Power DissipationPower DissipationCollector Emitter Saturation Voltage
-
FGH25T120SMD-F155
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
50 A
428 W
428 W
1.9 V
-
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
50 A
180 W
180 W
1.9 V
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Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
50 A
180 W
-
1.9 V
-
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
50 A
375 W
-
1.85 V
-
-
TO-247-3
-
1200V
-
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FGH25T120SMD-F155 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 部件号 :