STGW25M120DF3
TO-247-3
STMICROELECTRONICS STGW25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
30 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
1.2kV
600V, 25A, 15 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
375W
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STGW25
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
375W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
50A
反向恢复时间
265 ns
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V, 25A
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
85nC
集极脉冲电流（Icm）
100A
Td（开/关）@25°C
28ns/150ns
开关能量
850μJ (on), 1.3mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STGW25M120DF3
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TO-247-3
1.2 kV
1200V
50 A
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STGW25M120DF3 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :