![FDT86106LZ](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-pzta14-4736.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
250.2mg
晶体管元件材料
SILICON
3.2A Ta
4.5V 10V
1
2.2W Ta
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.2W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
108m Ω @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
315pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 10V
上升时间
1.3ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
1.5 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
栅源电压
1.5 V
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
高度
1.7mm
长度
3.7mm
宽度
6.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
FDT86106LZ
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
3.2 A
3.2A (Ta)
1.5 V
20 V
2.2 W
2.2W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
3.8 A
2.7A (Ta)
-
20 V
3.9 W
2W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
4 A
2.9A (Ta)
-
20 V
3.9 W
2W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
3.3 A
3.3A (Tc)
1.7 V
20 V
2.2 W
2.2W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
3.7 A
3.7A (Ta)
2.5 V
20 V
3 W
3W (Ta)
FDT86106LZ PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 数据表 :