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FDT86113LZ

型号:

FDT86113LZ

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

FDT86113LZ

描述:

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    4

  • 质量

    250.2mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 3.3A Tc

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 2.2W Ta

  • 10 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2.2W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    3.8 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100m Ω @ 3.3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    315pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.8nC @ 10V

  • 上升时间

    1.3ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    1.5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.3A

  • 阈值电压

    1.7V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    5 pF

  • 高度

    1.7mm

  • 长度

    3.7mm

  • 宽度

    6.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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