规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1.6A Ta
10V
1
1W Ta
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
1999
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
200mOhm
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
100V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1.6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 1.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
330pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
18ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
1.6A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.2A
漏源击穿电压
100V
恢复时间
110 ns
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
4 V
最小击穿电压
100V
高度
1.8mm
长度
6.6802mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFL4310TRPBF
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
1.6 A
1.6A (Ta)
2 V
20 V
2.1 W
1W (Ta)
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Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
1.8 A
1.8A (Ta)
1.4 V
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
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TO-261-4, TO-261AA
1.7 A
1.7A (Tc)
4 V
25 V
2 W
2W (Tc)
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Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
1.8 A
1.8A (Ta)
3 V
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
IRFL4310TRPBF PDF数据手册
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