![ZXMN10A25GTA](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-zsm300gtc-2273.jpg)
ZXMN10A25GTA
TO-261-4, TO-261AA
ZXMN10A25G Series N-Channel 100 V 0.125 Ohm Power MOSFET Surface Mount-SOT-223-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
2.9A Ta
10V
1
2W Ta
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
125mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
FAST SWITCHING
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.9W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
125m Ω @ 2.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
859pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
3.7ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9.4 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.9A
漏源击穿电压
100V
高度
1.65mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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ZXMN10A25GTA
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TO-261-4, TO-261AA
4 A
2.9A (Ta)
20 V
3.9 W
2W (Ta)
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TO-261-4, TO-261AA
3.7 A
2.6A (Ta)
20 V
3.9 W
2W (Ta)
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TO-261-4, TO-261AA
3.3 A
3.3A (Tc)
20 V
2.2 W
2.2W (Ta)
4
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TO-261-4, TO-261AA
3.7 A
3.7A (Ta)
20 V
3 W
3W (Ta)
4
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Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
3.2 A
3.2A (Ta)
20 V
2.2 W
2.2W (Ta)
4
ZXMN10A25GTA PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- Rohs 声明 :