FDT3612
TO-261-4, TO-261AA
ON SEMICONDUCTOR - FDT3612 - MOSFET Transistor, N Channel, 3.7 A, 100 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
质量
250.2mg
晶体管元件材料
SILICON
3.7A Ta
6V 10V
1
3W Ta
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
120MOhm
电压 - 额定直流
100V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
3.7A
JESD-30代码
R-PDSO-G4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 3.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
632pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
2ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
4.5 ns
连续放电电流(ID)
3.7A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
雪崩能量等级（Eas）
90 mJ
最大结点温度（Tj）
150°C
栅源电压
2.5 V
高度
1.8mm
长度
6.5mm
宽度
3.56mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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3.7 A
3.7A (Ta)
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3.8 A
2.7A (Ta)
-
20 V
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2W (Ta)
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2.3 A
2.3A (Ta)
4 V
20 V
2.4 W
2.4W (Ta)
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TO-261-4, TO-261AA
3.3 A
3.3A (Tc)
1.7 V
20 V
2.2 W
2.2W (Ta)
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
1.6 A
1.6A (Ta)
2 V
20 V
2.1 W
1W (Ta)
FDT3612 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :