IRFM120ATF
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
质量
188mg
晶体管元件材料
SILICON
2.3A Ta
10V
1
2.4W Ta
36 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
200MOhm
电压 - 额定直流
100V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
2.3A
JESD-30代码
R-PDSO-G4
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 1.15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
480pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
2.3A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
高度
1.7mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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TO-261-4, TO-261AA
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25 V
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4 V
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1.8A (Ta)
3 V
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
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TO-261-4, TO-261AA
2.3 A
2.3A (Tc)
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20 V
2.7 W
2.7W (Tc)
IRFM120ATF PDF数据手册
- 数据表 : IRFM120A IRFM120ATF-ON-Semiconductor-datasheet-73964.pdf IRFM120ATF-ON-Semiconductor-datasheet-100475228.pdf IRFM120ATF-ON-Semiconductor-datasheet-85561428.pdf IRFM120ATF-ON-Semiconductor-datasheet-86691209.pdf IRFM120ATF-Fairchild-datasheet-8634220.pdf IRFM120ATF-Fairchild-Semiconductor-datasheet-14042098.pdf IRFM120ATF-Fairchild-Semiconductor-datasheet-66896293.pdf
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- PCN 设计/规格 :
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