STN2NF10
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
2.4A Tc
10V
1
3.3W Tc
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
260mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 额定直流
100V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STN2N
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.3W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
260m Ω @ 1.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
280pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
3 ns
连续放电电流(ID)
2A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8A
雪崩能量等级（Eas）
300 mJ
高度
1.8mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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1.8A (Ta)
3 V
20 V
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STN2NF10 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :