ZXMN10A08GTA
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
2A Ta
6V 10V
1
2W Ta
8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
250mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
Not Qualified
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.9W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
250m Ω @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
405pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.7nC @ 10V
上升时间
2.2ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
3.2 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏源击穿电压
100V
高度
1.65mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxNumber of Terminations
ZXMN10A08GTA
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
2 A
2A (Ta)
20 V
3.9 W
2W (Ta)
4
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
2.4 A
1.7A (Ta)
20 V
3.9 W
-
4
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
2.3 A
2.3A (Ta)
20 V
2.4 W
2.4W (Ta)
4
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
1.6 A
1.6A (Ta)
20 V
2.1 W
1W (Ta)
4
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
2.3 A
2.3A (Tc)
20 V
2.7 W
2.7W (Tc)
4
ZXMN10A08GTA PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :