规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92L
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
1 A
NTE48
NTE Electronics
TO-92, 3 PIN
CYLINDRICAL
PLASTIC/EPOXY
100 MHz
ROUND
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
2.14
TO-92
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
Other Transistors
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
Not Qualified
配置
DARLINGTON
功率 - 最大
1 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
4000 @ 1A, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-92
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
1.5V @ 2mA, 1A
电压 - 集射极击穿（最大值）
50 V
频率转换
1GHz
最大耗散功率(Abs)
1 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益（hFE）
4000
环境耗散-最大值
2.5 W