规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3P
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
25 A
NTE2541
NTE Electronics
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
RECTANGULAR
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
2.15
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
Other Transistors
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
120 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
2000 @ 12A, 4V
最大集极截止电流
10μA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
1.8V @ 24mA, 12A
电压 - 集射极击穿（最大值）
120 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
120 W
集电极电流-最大值(IC)
25 A
最小直流增益（hFE）
2000
集电极-发射器电压-最大值
120 V