规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
500 mA
NTE290A
NTE Electronics
5(V)
Military
PNP
100(V)
Bipolar Small Signal
-55C to 150C
0.5(A)
1
No
Through Hole
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
CYLINDRICAL
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
120 MHz
ROUND
Active
NTE ELECTRONICS INC
2.12
TO-92
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
Other Transistors
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
频率
120(MHz)
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
Not Qualified
配置
Single
功率耗散
0.6(W)
输出功率
Not Required(W)
功率 - 最大
600 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
100 @ 50mA, 5V
最大集极截止电流
1μA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-92
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
600mV @ 40mA, 400mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
80 V
频率转换
120MHz
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益（hFE）
100
集电极-发射器电压-最大值
80 V