
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-233AA, TO-8-3 Metal Can
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-8
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
3 A
NTE16007
NTE Electronics
CYLINDRICAL
METAL
1.25 MHz
ROUND
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
5.47
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C
子类别
Other Transistors
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
25 W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
35 @ 750mA, 4V
最大集极截止电流
15μA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-8
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 40mA, 750mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
55 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
25 W
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
35
环境耗散-最大值
25 W