规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
3-SIP
底架
Through Hole
表面安装
NO
引脚数
3
供应商器件包装
3-SIP
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
50 mA
NTE16001
NTE Electronics
Compliant
IN-LINE, R-PSIP-T3
IN-LINE
PLASTIC/EPOXY
500 MHz
RECTANGULAR
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
2.13
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
Other Transistors
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
功率 - 最大
600 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
35 V
最大集电极电流
50 mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
20 @ 10mA, 10V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
500mV @ 2mA, 20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
35 V
频率转换
500MHz
集电极基极电压(VCBO)
45 V
最大耗散功率(Abs)
0.6 W
发射极基极电压 (VEBO)
4 V
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
集电极-发射器电压-最大值
35 V
最高频段
VERY HIGH FREQUENCY BAND
集电极-基极电容-最大值
1.5 pF