规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
12 A
5(V)
4(V)
Military
TO-3
100(V)
-65C to 200C
12(A)
1
No
750
Through Hole
NTE247
NTE Electronics
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
FLANGE MOUNT
METAL
NOT SPECIFIED
Yes
ROUND
Active
NTE ELECTRONICS INC
1.53
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
Other Transistors
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2 +Tab
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
Not Qualified
极性
NPN
配置
Single
功率耗散
150(W)
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
150 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
750 @ 6A, 3V
最大集极截止电流
1mA
JEDEC-95代码
TO-3
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
3V @ 120mA, 12A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
150 W
集电极电流-最大值(IC)
12 A
最小直流增益（hFE）
100
集电极-发射器电压-最大值
100 V
环境耗散-最大值
150 W