规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-66
终端数量
2
晶体管元件材料
GERMANIUM
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
2 A
NTE226
NTE Electronics
JAPANESE TO-66, 2 PIN
FLANGE MOUNT
METAL
0.7 MHz
ROUND
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
1.71
TO-66
系列
-
操作温度
85°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
Other Transistors
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
12 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
50 @ 200mA, 1.5V
最大集极截止电流
200μA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-66
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
35 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
12 W
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益（hFE）
50
集电极-发射器电压-最大值
35 V
环境耗散-最大值
12 W