规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-66
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
4 A
NTE274
NTE Electronics
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
FLANGE MOUNT
METAL
NOT SPECIFIED
Yes
ROUND
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
1.77
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
Other Transistors
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
50 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
750 @ 2A, 3V
最大集极截止电流
500μA
JEDEC-95代码
TO-66
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
3V @ 40mA, 4A
电压 - 集射极击穿（最大值）
80 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
50 W
集电极电流-最大值(IC)
4 A
最小直流增益（hFE）
100
集电极-发射器电压-最大值
80 V
环境耗散-最大值
50 W