规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-220
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
15 A
5(V)
Military
TO-220
PNP
100(V)
Bipolar Power
-65C to 150C
15(A)
1
No
40@500MA@4V
Through Hole
NTE332
NTE Electronics
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
3 MHz
RECTANGULAR
Active
NTE ELECTRONICS INC
2.12
SFM
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
Other Transistors
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
频率
3(MHz)
引脚数量
3 +Tab
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
Single
功率耗散
90(W)
箱体转运
COLLECTOR
输出功率
Not Required(W)
功率 - 最大
90 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
40 @ 500mA, 4V
最大集极截止电流
1mA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
3V @ 2.5A, 10A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100 V
频率转换
3MHz
最大耗散功率(Abs)
90 W
集电极电流-最大值(IC)
15 A
最小直流增益（hFE）
5
集电极-发射器电压-最大值
100 V
环境耗散-最大值
90 W